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IKB03N120H2ATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: IKB03N120H2ATMA1
Beschreibung: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Eingabetyp Standard
Gate Charge 22nC
Teilstatus Not For New Designs
Leistung - Max 62.5W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Testbedingung 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Schalten der Energie 290µJ
TD (ein/aus) bei 25°C 9.2ns/281ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO263-3-2
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.8V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr) 42ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 9.6A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 9.9A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 81 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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