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NGTB50N120FL2WG
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
| Datenblatt: | NGTB50N120FL2WG |
| Beschreibung: | IGBT 1200V 100A 535W TO247 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Verpackung | Tube |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 311nC |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 535W |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Testbedingung | 600V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Schalten der Energie | 4.4mJ (on), 1.4mJ (off) |
| TD (ein/aus) bei 25°C | 118ns/282ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-247 |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 50A |
| Reverse Recovery Time (trr) | 256ns |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100A |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 200A |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 72 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $5.88 | $5.76 | $5.65 |
Minimale: 1
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