NGTB50N120FL2WG
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
Datenblatt: | NGTB50N120FL2WG |
Beschreibung: | IGBT 1200V 100A 535W TO247 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
Serie | - |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Verpackung | Tube |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 311nC |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 535W |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Testbedingung | 600V, 50A, 10Ohm, 15V |
Schalten der Energie | 4.4mJ (on), 1.4mJ (off) |
TD (ein/aus) bei 25°C | 118ns/282ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-247 |
Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 50A |
Reverse Recovery Time (trr) | 256ns |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100A |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 200A |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 72 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$5.88 | $5.76 | $5.65 |
Minimale: 1