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FGA25N120ANTDTU-F109

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: FGA25N120ANTDTU-F109
Beschreibung: IGBT 1200V 50A 312W TO3P
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ NPT and Trench
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 200nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 312W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3
Testbedingung 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Basis-Teilenummer FGA25N120A
Schalten der Energie 4.1mJ (on), 960µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 50ns/190ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-3P
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.65V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr) 350ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 50A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 90A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 71 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.11 $3.05 $2.99
Minimale: 1

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