Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

NGTB35N60FL2WG

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: NGTB35N60FL2WG
Beschreibung: IGBT 600V 70A 300W TO247
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 125nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 300W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Testbedingung 400V, 35A, 10Ohm, 15V
Schalten der Energie 840µJ (on), 280µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 72ns/132ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2V @ 15V, 35A
Reverse Recovery Time (trr) 68ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 70A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 120A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

Auf Lager 138 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.21 $2.17 $2.12
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

RGT16NS65DGC9
ROHM Semiconductor
$2.19
FGP3040G2-F085
ON Semiconductor
$2.17
STGP15H60DF
STMicroelectronics
$2.13
STGF10M65DF2
STMicroelectronics
$2.13
STGP15M65DF2
STMicroelectronics
$2.13