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NGTB30N120IHLWG

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: NGTB30N120IHLWG
Beschreibung: IGBT 1200V 30A TO247
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 420nC
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 260W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Testbedingung 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Schalten der Energie 1mJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C -/360ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.2V @ 15V, 30A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 60A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 320A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 68 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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