Image is for reference only , details as Specifications

NGTB20N120IHSWG

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: NGTB20N120IHSWG
Beschreibung: IGBT 1200V 20A TO247
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 155nC
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 156W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Testbedingung 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Schalten der Energie 650µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C -/160ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.4V @ 15V, 20A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 40A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 120A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 58 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IRGS4630DTRRPBF
Infineon Technologies
$0
IRGS4630DTRLPBF
Infineon Technologies
$0
IRGS4630DPBF
Infineon Technologies
$0
IRGS4620DTRRPBF
Infineon Technologies
$0
IRGS4620DTRLPBF
Infineon Technologies
$0