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MVDF2C03HDR2G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: MVDF2C03HDR2G
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ N and P-Channel Complementary
Verpackung Tape & Reel (TR)
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 2W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 70mOhm @ 3A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max.) 16nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 630pF @ 24V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.1A, 3A

Auf Lager 77 pcs

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