Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
IRFHM792TR2PBF
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | IRFHM792TR2PBF |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| FET-Funktion | Standard |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 2.3W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Basis-Teilenummer | IRFHM792PBF |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 10µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 195mOhm @ 2.9A, 10V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 6.3nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 251pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2.3A |
Auf Lager 63 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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