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MMBT5551LT1G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: MMBT5551LT1G
Beschreibung: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 225mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp NPN
Basis-Teilenummer MMBT5551
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Vce Sättigung (Max.) 200mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 600mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 80 @ 10mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 160V

Auf Lager 262675 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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