DMG6602SVTQ-7
Hersteller: | Diodes Incorporated |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt: | DMG6602SVTQ-7 |
Beschreibung: | MOSFET N/P-CH 30V TSOT26 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Diodes Incorporated |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | - |
FET-Typ | N and P-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
FET-Funktion | Standard |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 840mW |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 60mOhm @ 3.1A, 10V |
Lieferanten-Gerätepaket | TSOT-26 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 13nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 400pF @ 15V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3.4A, 2.8A |
Auf Lager 18699 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1