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DMG6602SVTQ-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: DMG6602SVTQ-7
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ N and P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 840mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 60mOhm @ 3.1A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket TSOT-26
Gate Charge (Qg) (Max.) 13nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 400pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.4A, 2.8A

Auf Lager 18699 pcs

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