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MJE5731G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: MJE5731G
Beschreibung: TRANS PNP 350V 1A TO-220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Tube
Teilstatus Active
Leistung - Max 40W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Transistortyp PNP
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 10MHz
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Vce Sättigung (Max.) 1V @ 200mA, 1A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 1A
Strom - Collector Cutoff (Max) 1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 30 @ 300mA, 10V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 350V

Auf Lager 682 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.13 $1.11 $1.09
Minimale: 1

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