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MJE5851G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: MJE5851G
Beschreibung: TRANS PNP 350V 8A TO220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie SWITCHMODE™
Verpackung Tube
Teilstatus Active
Leistung - Max 80W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Transistortyp PNP
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Vce Sättigung (Max.) 5V @ 3A, 8A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 8A
Strom - Collector Cutoff (Max) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 5 @ 5A, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 350V

Auf Lager 190 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.05 $2.99 $2.93
Minimale: 1

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