Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
MJD31C1
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt: | MJD31C1 |
| Beschreibung: | TRANS NPN 100V 3A IPAK |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Serie | - |
| Verpackung | Tube |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 1.56W |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Transistortyp | NPN |
| Basis-Teilenummer | MJD31 |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Frequenz - Übergang | 3MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | I-PAK |
| Vce Sättigung (Max.) | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 3A |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 10 @ 3A, 4V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 100V |
Auf Lager 56 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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