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MJD3055G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: MJD3055G
Beschreibung: TRANS NPN 60V 10A DPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Tube
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 1.75W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistortyp NPN
Basis-Teilenummer MJD3055
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 2MHz
Lieferanten-Gerätepaket DPAK
Vce Sättigung (Max.) 8V @ 3.3A, 10A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 10A
Strom - Collector Cutoff (Max) 50µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 20 @ 4A, 4V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 60V

Auf Lager 85 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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