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FQU2N90TU-WS

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FQU2N90TU-WS
Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie QFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket I-PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 15nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 500pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 3580 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.03 $1.01 $0.99
Minimale: 1

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