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RD3L08BGNTL

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RD3L08BGNTL
Beschreibung: RD3L08BGN IS A POWER MOSFET, SUI
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 5.5mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (Max.) 119W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-252
Gate Charge (Qg) (Max.) 71nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3620pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 2500 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.27 $2.22 $2.18
Minimale: 1

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