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FQI7N80TU

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FQI7N80TU
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie QFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.5Ohm @ 3.3A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.13W (Ta), 167W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket I2PAK (TO-262)
Gate Charge (Qg) (Max.) 52nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1850pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 58 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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