FQI7N80TU
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | FQI7N80TU |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | QFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.5Ohm @ 3.3A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 3.13W (Ta), 167W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | I2PAK (TO-262) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 52nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1850pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6.6A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 58 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.23 | $1.21 | $1.18 |
Minimale: 1