Image is for reference only , details as Specifications

IPI80N08S207AKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPI80N08S207AKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 7.4mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (Max.) 300W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO262-3-1
Gate Charge (Qg) (Max.) 180nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4700pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 70 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.23 $1.21 $1.18
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

TK3A65DA(STA4,QM)
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.23
DMNH6008SCT
Diodes Incorporated
$1.25
NVMFS5C410NAFT1G
ON Semiconductor
$1.25
R5007ANJTL
ROHM Semiconductor
$1.25
IPP80N06S2L11AKSA2
Infineon Technologies
$1.25