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FJBE2150DTU

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: FJBE2150DTU
Beschreibung: TRANS NPN 800V 2A D2-PAK-2L
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie ESBC™
Verpackung Tube
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 110W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C (TJ)
Frequenz - Übergang 5MHz
Lieferanten-Gerätepaket D²PAK (TO-263)
Vce Sättigung (Max.) 250mV @ 330mA, 1A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 2A
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 20 @ 400mA, 3V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 800V

Auf Lager 88 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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