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2SD2607FU6

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2SD2607FU6
Beschreibung: TRANS NPN DARL 100V 8A TO220FN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Bulk
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 2W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Transistortyp NPN - Darlington
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 40MHz
Lieferanten-Gerätepaket TO-220FN
Vce Sättigung (Max.) 1.5V @ 6mA, 3A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 8A
Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 1000 @ 2A, 3V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 100V

Auf Lager 81 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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