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FGY100T65SCDT

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: FGY100T65SCDT
Beschreibung: FS3TIGBT TO247 100A 650V
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 157nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 750W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Testbedingung 400V, 100A, 4.7Ohm, 15V
Schalten der Energie 5.4mJ (on), 3.8mJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 84ns/216ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247-3
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 1.9V @ 15V, 100A
Reverse Recovery Time (trr) 62ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 200A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 300A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 650V

Auf Lager 70 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$7.54 $7.39 $7.24
Minimale: 1

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