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STGWT80H65DFB

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: STGWT80H65DFB
Beschreibung: IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 414nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 469W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3
Testbedingung 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Basis-Teilenummer STGWT80
Schalten der Energie 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 84ns/280ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-3P
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2V @ 15V, 80A
Reverse Recovery Time (trr) 85ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 120A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 240A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 650V

Auf Lager 4 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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