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RJP65T54DPM-E0#T2
| Hersteller: | Renesas Electronics America |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
| Datenblatt: | RJP65T54DPM-E0#T2 |
| Beschreibung: | IGBT TRENCH TO-3FP |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 72nC |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 63.5W |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Testbedingung | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Schalten der Energie | 330µJ (on), 760µJ (off) |
| TD (ein/aus) bei 25°C | 35ns/120ns |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-3PF |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 1.68V @ 15V, 30A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 60A |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 225A |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 650V |
Auf Lager 70 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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