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FDT86113LZ

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FDT86113LZ
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 100mOhm @ 3.3A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.2W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-223-4
Gate Charge (Qg) (Max.) 6.8nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 315pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 19494 pcs

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