FDP8D5N10C
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | FDP8D5N10C |
Beschreibung: | FET ENGR DEV-NOT REL |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | PowerTrench® |
FET-Typ | N-Channel |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 130µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 8.5mOhm @ 76A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 2.4W (Ta), 107W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-220-3 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 34nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2475pF @ 50V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 76A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 77 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$2.48 | $2.43 | $2.38 |
Minimale: 1