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FDP8D5N10C

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FDP8D5N10C
Beschreibung: FET ENGR DEV-NOT REL
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
FET-Typ N-Channel
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 130µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 8.5mOhm @ 76A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.4W (Ta), 107W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 34nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2475pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 76A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 77 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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