TK12E60W,S1VX
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | TK12E60W,S1VX |
Beschreibung: | MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | DTMOSIV |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | Super Junction |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 600µA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 300mOhm @ 5.8A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 110W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-220 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 25nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 890pF @ 300V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 11.5A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 88 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$2.48 | $2.43 | $2.38 |
Minimale: 1