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FDP3652

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FDP3652
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 61A TO-220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Bulk
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Not For New Designs
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 16mOhm @ 61A, 10V
Verlustleistung (Max.) 150W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 53nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2880pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9A (Ta), 61A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 5 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.81 $1.77 $1.74
Minimale: 1

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