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R6511ENJTL

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: R6511ENJTL
Beschreibung: NCH 650V 11A POWER MOSFET. R651
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 320µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 400mOhm @ 3.8A, 10V
Verlustleistung (Max.) 124W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket LPTS
Gate Charge (Qg) (Max.) 32nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 670pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 99 pcs

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