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FDN357N

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FDN357N
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 60mOhm @ 2.2A, 10V
Verlustleistung (Max.) 500mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SuperSOT-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 5.9nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 235pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 46171 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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