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DMN10H220L-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMN10H220L-7
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Teilenummer DMN10H220
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 220mOhm @ 1.6A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.3W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23
Gate Charge (Qg) (Max.) 8.3nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 401pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 555595 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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