Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
FDMS3669S
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | FDMS3669S |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 1W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 10mOhm @ 13A, 10V |
| Lieferanten-Gerätepaket | Power56 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 24nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1605pF @ 15V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 13A, 18A |
Auf Lager 72 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.97 | $0.95 | $0.93 |
Minimale: 1
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