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DMG4511SK4-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: DMG4511SK4-13
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ N and P-Channel, Common Drain
Verpackung Cut Tape (CT)
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 1.54W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Basis-Teilenummer DMG4511
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 35mOhm @ 8A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket TO-252-4L
Gate Charge (Qg) (Max.) 18.7nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 35V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 850pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5.3A, 5A

Auf Lager 67 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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