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FDMD8280
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | FDMD8280 |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| FET-Funktion | Standard |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 1W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 12-PowerWDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 8.2mOhm @ 11A, 10V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 12-Power3.3x5 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 44nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 3050pF @ 40V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 11A |
Auf Lager 2215 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $2.99 | $2.93 | $2.87 |
Minimale: 1
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