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EPC2104ENGRT

Hersteller: EPC
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: EPC2104ENGRT
Beschreibung: GANFET 2NCH 100V 23A DIE
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller EPC
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie eGaN®
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride)
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max -
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall Die
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 5.5mA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 6.3mOhm @ 20A, 5V
Lieferanten-Gerätepaket Die
Gate Charge (Qg) (Max.) 7nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 800pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 23A

Auf Lager 927 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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