EPC2104ENGRT
Hersteller: | EPC |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt: | EPC2104ENGRT |
Beschreibung: | GANFET 2NCH 100V 23A DIE |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | EPC |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | eGaN® |
FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Verpackung | Digi-Reel® |
FET-Funktion | GaNFET (Gallium Nitride) |
Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
Leistung - Max | - |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | Die |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 5.5mA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 6.3mOhm @ 20A, 5V |
Lieferanten-Gerätepaket | Die |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 7nC @ 5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 800pF @ 50V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 23A |
Auf Lager 927 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1