FDFM2N111
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | FDFM2N111 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | PowerTrench® |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 100mOhm @ 4A, 4.5V |
Verlustleistung (Max.) | 1.7W (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | MicroFET 3x3mm |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 3.8nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 273pF @ 10V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Auf Lager 89 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1