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BSO080P03NS3GXUMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSO080P03NS3GXUMA1
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 3.1V @ 150µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 8mOhm @ 14.8A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.6W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket PG-DSO-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 81nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 6750pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 95 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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