Image is for reference only , details as Specifications

FDD14AN06LA0-F085

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FDD14AN06LA0-F085
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 9.5A DPAK-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 11.6mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (Max.) 125W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-252AA
Gate Charge (Qg) (Max.) 32nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2810pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9.5A (Ta), 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V

Auf Lager 63 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

DMP4011SPSQ-13
Diodes Incorporated
$0.7
IRLR3636TRLPBF
Infineon Technologies
$0.7
IPD50N12S3L15ATMA1
Infineon Technologies
$0.7
IRF6892STRPBF
Infineon Technologies
$0.7
SIHD6N65ET5-GE3
Vishay / Siliconix
$0.7