Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IRF6892STRPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF6892STRPBF
Beschreibung: MOSFET N CH 25V 28A S3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Last Time Buy
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall DirectFET™ Isometric S3C
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 50µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.7mOhm @ 28A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DIRECTFET™ S3C
Gate Charge (Qg) (Max.) 25nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2510pF @ 13V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 28A (Ta), 125A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 88 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.70 $0.69 $0.67
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

SIHD6N65ET5-GE3
Vishay / Siliconix
$0.7
SIHD6N65ET4-GE3
Vishay / Siliconix
$0.7
SIHD6N65ET1-GE3
Vishay / Siliconix
$0.7
AOWF9N70
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0.7
TK65S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
$0.7