Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
FDC6301N_G
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | FDC6301N_G |
| Beschreibung: | MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 700mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 4Ohm @ 400mA, 4.5V |
| Lieferanten-Gerätepaket | SuperSOT™-6 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 0.7nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 9.5pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 220mA |
Auf Lager 81 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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