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FDS8958B_G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: FDS8958B_G
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie PowerTrench®
FET-Typ N and P-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
FET-Funktion Standard
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 900mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 26mOhm @ 6.4A, 10V, 51mOhm @ 4.5A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 5.8nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 540pF @ 15V, 760pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6.4A, 4.5A

Auf Lager 91 pcs

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