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FCP190N65S3R0
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | FCP190N65S3R0 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | SuperFET® III |
| FET-Typ | N-Channel |
| Vgs (Max.) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.7mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 190mOhm @ 8.5A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 144W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-220-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 33nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1350pF @ 400V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 17A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 85 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.42 | $1.39 | $1.36 |
Minimale: 1
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