Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

TK8A65W,S5X

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK8A65W,S5X
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSIV
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 300µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 650mOhm @ 3.9A, 10V
Verlustleistung (Max.) 30W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220SIS
Gate Charge (Qg) (Max.) 16nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 570pF @ 300V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 96 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.44 $1.41 $1.38
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IPP80N06S209AKSA2
Infineon Technologies
$1.44
TK10V60W,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
IRF6641TRPBF
Infineon Technologies
$0
IRF9530STRRPBF
Vishay / Siliconix
$1.49
IPB240N03S4LR9ATMA1
Infineon Technologies
$1.49