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FCP190N60E

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FCP190N60E
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO220-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SuperFET® II
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 190mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (Max.) 208W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 82nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3175pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 20.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 800 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.83 $2.77 $2.72
Minimale: 1

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