STP110N55F6
Hersteller: | STMicroelectronics |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | STP110N55F6 |
Beschreibung: | MOSFET N CH 55V 110A TO-220 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | STMicroelectronics |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | DeepGATE™, STripFET™ VI |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Basis-Teilenummer | STP110 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 5.2mOhm @ 60A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 150W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-220 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 120nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 8350pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 110A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 416 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$2.81 | $2.75 | $2.70 |
Minimale: 1