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FCP099N60E

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FCP099N60E
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SuperFET® II
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 99mOhm @ 18.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 357W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 114nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3465pF @ 380V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 37A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 58 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.44 $2.39 $2.34
Minimale: 1

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