FCP099N60E
Hersteller: | ON Semiconductor |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | FCP099N60E |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V TO220 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | SuperFET® II |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 99mOhm @ 18.5A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 357W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-220-3 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 114nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 3465pF @ 380V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 37A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 58 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$2.44 | $2.39 | $2.34 |
Minimale: 1