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IXFA4N85X

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXFA4N85X
Beschreibung: MOSFET N-CH 850V 3.5A TO263
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HiPerFET™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.5Ohm @ 2A, 10V
Verlustleistung (Max.) 150W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-263 (IXFA)
Gate Charge (Qg) (Max.) 7nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 850V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 247pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 88 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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