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FCH190N65F-F155

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FCH190N65F-F155
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie FRFET®, SuperFET® II
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 190mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (Max.) 208W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247 Long Leads
Gate Charge (Qg) (Max.) 78nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3225pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 20.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 92 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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