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IXTA1R6N100D2HV
| Hersteller: | IXYS |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | IXTA1R6N100D2HV |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | IXYS |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | Depletion Mode |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 10Ohm @ 800mA, 0V |
| Verlustleistung (Max.) | 100W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-263HV |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 27nC @ 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 645pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 1.6A (Tj) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
Auf Lager 62 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $2.59 | $2.54 | $2.49 |
Minimale: 1
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