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BD679G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: BD679G
Beschreibung: TRANS NPN DARL 80V 4A TO225
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Bulk
Teilstatus Active
Leistung - Max 40W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-225AA, TO-126-3
Transistortyp NPN - Darlington
Basis-Teilenummer BD679
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket TO-225AA
Vce Sättigung (Max.) 2.5V @ 30mA, 1.5A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 4A
Strom - Collector Cutoff (Max) 500µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 750 @ 1.5A, 3V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 80V

Auf Lager 275 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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