Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
MJD112G
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt: | MJD112G |
| Beschreibung: | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Serie | - |
| Verpackung | Tube |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 1.75W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Transistortyp | NPN - Darlington |
| Basis-Teilenummer | MJD112 |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Frequenz - Übergang | 25MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | DPAK |
| Vce Sättigung (Max.) | 3V @ 40mA, 4A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 2A |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 20µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 1000 @ 2A, 3V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 100V |
Auf Lager 324 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.67 | $0.66 | $0.64 |
Minimale: 1
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